据熟悉此事的人们说，三星电子公司已获得批准，以向Nvidia Corp.提供其第五代高带宽记忆芯片的版本。 NVIDIA在12月清除了8层HBM3E（一个不太先进的HBM3E品种）。
在技术行业的一个值得注意的开发中，三星电子获得了NVIDIA的批准，以提供其第五代高带宽内存（HBM）芯片的八层版本，称为HBM3E [1]。这一里程碑标志着三星迈出了重要的一步，因为它努力赶上竞争对手SK hynix和Micron在竞赛中向Nvidia提供HBM记忆芯片。
在严格的测试和评估之后，NVIDIA获得了三星的HBM3E芯片的批准。根据行业专家迪伦·帕特尔（Dylan Patel）的说法，三星仍在SK Hynix落后，SK Hynix已经准备运送自己的十二层HBM3E芯片 [1]。但是，三星的进度不应被低估，因为该公司的目标是在今年第四季度使用HBM3E芯片占其HBM销售额的60％ [1]。
HBM内存芯片的高需求是由对人工智能（AI）系统中高级内存解决方案的需求日益增长的驱动的。根据研究公司Trendforce的数据，HBM3E芯片预计将在2024年后半段占主导地位，HBM记忆芯片需求的年增长率为82％ [1]。
三星在通过NVIDIA对其八层HBM3E芯片进行测试方面的成就证明了该公司对创新的承诺及其满足技术行业不断发展的需求的能力。尽管HBM3E芯片的更高级的十二层版本仍在进行测试中，但不应忽略三星的进度。
参考：
[1] Nomad76。三星的8层HBM3E芯片通过了Nvidia的测试。 TechPowerUp。 2024年8月7日。 https：//www.techpowerup.com/325334/samsungs-8-layer-hbm3e-chips-chips-pass-pass-nvidias-tests
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