SK海力士已经开始突破NAND闪存堆叠的限制，计划2025年…

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2024年9月30日

SK海力士已经开始突破NAND闪存堆叠的限制，计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备，2026年二季度正式启动大规模生产，作为连接两个半导体晶圆的下一代封装技术。

随着人工智能相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，存储巨头都在加紧努力，提升NAND产品的性能和容量。

有消息称，因为美国即将限制对中国的HBM供应，引发了中国企业的HBM抢购潮。定制化HBM产品被认为可以解决存储器半导体市场的供过于求问题。
#贸易战 #AI #HBM

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