韩国存储芯片制造商SK海力士周三表示,计划投资5.3万亿韩元…

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韩国存储芯片制造商SK海力士周三表示,计划投资5.3万亿韩元(约合38.6亿美元)在韩国建设一家新的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产基地。

新生产基地旨在增加DRAM产能,重点是HBM,预计HBM市场年增长率将超过60%。在服务器大容量芯片产品的带动下,通用DRAM的需求稳步增长。
#芯片战争 #海力士 #韩国 #HBM

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