三星HBM 3良率仅为10%-20%，SK海力士的HBM3生…

日期:

2024年11月3日

三星HBM 3良率仅为10%-20%，SK海力士的HBM3生产良率约为60-70%。

三星落后的原因之一是其决定坚持使用称为非导电薄膜（NCF）的芯片制造技术，这会导致一些生产问题，而海力士则改用大规模回流模制底部填充（MR-MUF）方法来解决NCF的弱点。
#芯片战争 #AI

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