台积电明年开始量产2nm晶片测试晶片良率提升6% – Tom’s Hardware
根据最新报道，全球领先的半导体制造公司台积电（台湾积体电路制造公司）将于明年开始大规模生产2 奈米晶片 [1]。这项突破性进展标志着测试晶片良率的显著提高，256 Mb SRAM (32 MB) 装置的良率超过80% [1]。
台积电的2nm 节点主要采用环栅电晶体，在实现目标效能和良率目标方面取得了令人瞩目的进展。该公司在2024 年研讨会上透露，第一个2nm 级制造节点达到预期效能的90% 以上 [1]。良率也在上升，截至2024 年3 月，256 Mb SRAM 的平均良率达70% 左右 [1]。
人们对台积电首款2nm 级全栅奈米片电晶体技术的兴趣很高，N2 第一年的新流片(NTO) 数量比N5 高出两倍多 [1]。鉴于2nm 晶片比前代晶片具有显著优势，这种兴趣激增并不令人意外。
台积电的2nmP 技术预计将于2026 年下半年推出，预计将带来更令人印象深刻的效能和功耗优势。与N3E 相比，这包括频率潜在提高15%-20%、功耗降低30%-40%、晶片密度增加超过1.15 倍 [1]。
对于需要最佳效能、功耗和密度的公司来说，台积电的2nm 晶片是一个有吸引力的选择。随着明年开始量产，半导体产业将见证台积电的另一个突破性进展。
参考：
[1] 阿南德科技。台积电2nm 性能与良率步入正轨，量产将于2025 年开始。 – 2025 年开始
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